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      濕法冶金去除太陽能級硅中硼的研究

      濕法冶金去除太陽能級硅中硼的研究
      2016.05.13
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      濕法冶金去除太陽能級硅中硼的研究 ????摘要:濕法提純作為冶金法制備太陽能級硅的前處理工序,可以去除大部分金屬和硼雜質(zhì)。研究了以氫氟酸一硫酸混合酸為浸出劑,有機(jī)溶劑甲醇作為后處理劑,去除硅粉中硼雜質(zhì)的方法。采用電感藕合等離子體發(fā)射光譜儀(ICP)等對產(chǎn)品進(jìn)行表征。酸浸過程優(yōu)化工藝條件:硫酸質(zhì)量分...

      濕法冶金去除太陽能級硅中硼的研究

      ????摘要:濕法提純作為冶金法制備太陽能級硅的前處理工序,可以去除大部分金屬和硼雜質(zhì)。研究了以氫氟酸一硫酸混合酸為浸出劑,有機(jī)溶劑甲醇作為后處理劑,去除硅粉中硼雜質(zhì)的方法。采用電感藕合等離子體發(fā)射光譜儀(ICP)等對產(chǎn)品進(jìn)行表征。酸浸過程優(yōu)化工藝條件:硫酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)為55% ,氫氟酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)為7%,酸浸溫度為70 0C、酸浸時間為4h、液固質(zhì)量比為8: 1。酸浸后可使硅粉中的硼雜質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)由6. 893 x 10 -6降至3. 867 x10 -6,去除率為41.9%。在酸浸基礎(chǔ)上采用有機(jī)溶劑甲醇作為后處理劑,雜質(zhì)硼質(zhì)量分?jǐn)?shù)降至3. 84 x 10-6,去除率為44. 29%。從硼酸浸后形成的產(chǎn)物入手探索提高硼去除率的方法,實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了該方法的可行性,為研究濕法冶金預(yù)處理太陽能級硅提供了新的參考。

      硼是太陽能多晶硅材料中一種嚴(yán)格控制的非金屬雜質(zhì),高溫熔融單質(zhì)硅體系中由于硼的分凝系數(shù)趨于1,單純采用冶金法除硼難度大。如何低成本、高效率地去除硼雜質(zhì),成為冶金法制備太陽能多晶硅的主要技術(shù)難點(diǎn)之一。目前主要的除硼工藝有定向凝固、區(qū)域熔融、等離子體精煉、濕法冶金等。其中,濕法冶金提純加火法冶金過程具有設(shè)備簡單、能耗低、周期短等獨(dú)特優(yōu)勢,研究簡單、經(jīng)濟(jì)的濕法前置除硼處理對后續(xù)火法冶金過程提高成品收率具有重要意義。筆者以氫氟酸一硫酸混合酸為處理劑,探索了去除工業(yè)級硅粉中硼雜質(zhì)的方法,討論了酸浸后硼在體系中的存在形式;結(jié)合硼酸可與輕基形成較大解離度絡(luò)合物的特性,進(jìn)一步討論了以有機(jī)溶劑作為后處理劑,使硼形成硼的絡(luò)合物進(jìn)而深度除硼的方法及效果。1實(shí)驗(yàn)部分

      1. 1儀器和試劑

      儀器:玻璃蒸餾裝置,聚四氟乙烯帶壓容器,DF一101S型集熱式恒溫加熱磁力攪拌器,SHB一A循環(huán)水式多用真空泵,YP202 N型電子天平,DNG -9070A型電熱恒溫鼓風(fēng)干燥箱,美國Thermo FisherScientific公司電感藕合等離子光譜儀(ICP -AES6300)。原料及試劑:硅粉,冶金級,粒徑為0. 075 mm,硼質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6. 893 x 10 -6 ;氫氟酸(HF)、硫酸(H2SO4)等試劑均為分析純。去離子水,電導(dǎo)率小于1.0 μS/cm。

      1.2實(shí)驗(yàn)方法

      ????酸浸:硅粉用混酸(硫酸一氫氟酸)在適當(dāng)條件下浸取,然后用去離子水洗滌,抽濾、干燥,測試硅粉中硼的質(zhì)量分?jǐn)?shù),考察各因素,如:氫氟酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)、硫酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)、酸浸時間、液固質(zhì)量比、酸浸溫度,對硼雜質(zhì)去除率的影響。

      醇洗:硅粉經(jīng)酸浸,進(jìn)一步在體系(硅粉和酸液)中加入有機(jī)溶劑(甲醇)進(jìn)行洗滌,然后水洗,抽濾、干燥,測試硅粉中硼雜質(zhì)的質(zhì)量分?jǐn)?shù),考察醇洗過程各因素,如:甲醇溶液體積分?jǐn)?shù)、靜置時間,對硼雜質(zhì)去除率的影響。

      1.3實(shí)驗(yàn)原理

      1.3. 1酸浸

      實(shí)驗(yàn)所用硅粉是采用碳熱還原工藝制成,過程中因使用木炭、焦煤等還原劑帶入雜質(zhì)。隨著熔體硅的凝固,絕大部分分凝系數(shù)低的雜質(zhì)沉積在固體硅晶體界面或其裂縫處,當(dāng)將硅料粉碎成某一粒徑后,這些雜質(zhì)暴露在硅晶粒表面,通過酸洗可以除去。硫酸可將硼酸鹽和氧化硼轉(zhuǎn)化為可溶性離子和硼酸,而氫氟酸既可除去硅粉表面的SiO2和金屬雜質(zhì)氧化膜,又可與硫酸一起緩慢腐蝕碳化硼。因此實(shí)驗(yàn)選擇氫氟酸一硫酸混合酸為浸出劑,考察混合酸除硼的優(yōu)化工藝。

      1.3.2醇洗

      ????酸浸4h后,反應(yīng)趨于平衡,大部分雜質(zhì)從金屬硅晶粒表面經(jīng)惰性固體物料層擴(kuò)散至溶液中。硼在溶液中的主要存在形式為H3 BO3 。硼酸是一種難溶于水的物質(zhì),水洗時附著在硅的表面,不易被洗掉。硼酸的價電子結(jié)構(gòu)為2s22P1陳經(jīng)濤通過實(shí)驗(yàn)論證了硼酸可與多輕基化合物形成很大解離度的絡(luò)合物。因此,筆者選擇甲醇與硼酸反應(yīng)生成硼酸甲酷的方式除硼,反應(yīng)式如下:

      ????????????H3 BO3+CH3 OH→(OH)2BOCH3+H2O

      甲醇和硼酸甲酷均為極性分子,易溶于水,通過水洗即可除去。預(yù)計(jì)采用醇洗將比直接用去離子水洗滌得到更好的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

      1.4有機(jī)溶劑浸出過程動力學(xué)模型討論

      ????該反應(yīng)為固態(tài)中存在的硼(包括金屬硼化物、氧化物、碳化硼等)通過酸浸轉(zhuǎn)化為可溶于液態(tài)的硼,是典型的液固相反應(yīng)。酸浸前后金屬硅的粒徑并沒有大的變化,硼在原料硅粉中為微量,質(zhì)量分?jǐn)?shù)為(6 ~7) x10-6。浸出劑中的有效組分大大過量,浸出過程中浸出劑有效組分的濃度設(shè)為恒定,可采用核收縮模型來近似描述浸出過程動力學(xué)。若為內(nèi)擴(kuò)散控制過程,則反應(yīng)動力學(xué)方程見式(1):

      ?

      式(4)即為內(nèi)擴(kuò)散控制時的動力學(xué)方程。而反應(yīng)若是化學(xué)控制,可推出動力學(xué)方程為:

      ?

      實(shí)驗(yàn)通過測定不同時間下的去除率,討論除雜過程的動力學(xué)控制類型。

      符號說明:j為單位時間內(nèi)通過固體產(chǎn)物層的浸出劑的物質(zhì)的量;r為固體硅粒的半徑;D為浸出劑在固體產(chǎn)物層中的擴(kuò)散系數(shù);c代表浸出劑濃度;c0為浸出劑在溶液??的濃度;Cs為浸出劑在固體表面處的濃度;CS’為浸出劑在反應(yīng)區(qū)的濃度。r0為致密的固體產(chǎn)物層半徑;;r1為未反應(yīng)核半徑;n為反應(yīng)級數(shù);k為化學(xué)反應(yīng)常數(shù);h為浸出分?jǐn)?shù);P為固體密度;M為固體質(zhì)量分?jǐn)?shù);t為酸浸時間。

      2結(jié)果與討論

      2.1酸浸

      2.1.1硫酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)、氫氟酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)對硼去除率的影響

      氫氟酸是低沸點(diǎn)酸,利用氫氟酸并采用加熱的方法去除硅粉中的雜質(zhì)會造成酸性氣體的揮發(fā),對環(huán)境影響較大,因此實(shí)驗(yàn)采用較低質(zhì)量分?jǐn)?shù)的氫氟酸,設(shè)定為3%。其他條件:液固質(zhì)量比為8:1,酸浸溫度為100℃,攪拌轉(zhuǎn)速為150 r / min,酸浸時間為4h。考察硫酸不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)對硼去除率的影響,結(jié)果見圖1。由圖1可知:當(dāng)硫酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)低于55%時,主要表現(xiàn)為強(qiáng)酸性,硼雜質(zhì)去除率隨著硫酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)的增大而緩慢上升;高于55%時則表現(xiàn)出更強(qiáng)的氧化性,其與晶粒表面的其他金屬雜質(zhì)形成鈍化膜,阻止了內(nèi)部雜質(zhì)與酸液的接觸,溶液孰度的增大和致密覆蓋膜的生成導(dǎo)致擴(kuò)散阻力增大叫,硼雜質(zhì)去除率減小。因此,硫酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)選擇55 % 。

      ????固定條件:硫酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)為55 %,液固質(zhì)量比為8:1,酸浸溫度為100℃,攪拌轉(zhuǎn)速為160 r/min,酸浸時間為4h??疾鞖浞豳|(zhì)量分?jǐn)?shù)對硼雜質(zhì)去除率的影響,結(jié)果見圖2。由圖2看出:氫氟酸為弱酸,在質(zhì)量分?jǐn)?shù)低于4%時表現(xiàn)出弱酸電離的規(guī)律,隨著質(zhì)量分?jǐn)?shù)的升高,解離程度增大,反應(yīng)速率加快,硼雜質(zhì)去除率提高;當(dāng)質(zhì)量分?jǐn)?shù)高于4%以后,隨著質(zhì)量分?jǐn)?shù)的增大,氫氟酸弱酸效應(yīng)不斷減弱,解離程度變大,在溶液中的濃度不斷升高,當(dāng)質(zhì)量分?jǐn)?shù)大于5%時其性質(zhì)已接近強(qiáng)酸,硼雜質(zhì)的去除率升高很快;當(dāng)質(zhì)量分?jǐn)?shù)超過7%以后,硼雜質(zhì)的去除率不再提高。因此,選擇氫氟酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)為7% 。

      ?

      2. 1. 2酸浸時間、酸浸溫度對硼去除率的影響

      ????固定條件:硫酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)為55 % ,氫氟酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)為7%,液固質(zhì)量比為8:1,酸浸溫度為100℃,攪拌轉(zhuǎn)速為160 r/min??疾焖峤r間對硼去除率的影響,結(jié)果見圖3。由圖3看出:隨著反應(yīng)時間的延長,雜質(zhì)去除率逐步提高,4h以后硼雜質(zhì)去除率趨于平緩。因此,反應(yīng)時間選擇4 h。

      ????固定條件:硫酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)為55 % ,氫氟酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)為7%,液固質(zhì)量比為8:1,攪拌轉(zhuǎn)速為160 r/min,酸浸時間為4h??疾焖峤囟葘ε鹑コ实挠绊?,結(jié)果見圖4。由圖4可以看出:當(dāng)溫度低于70℃時,隨著溫度的升高硼雜質(zhì)去除率不斷增大;當(dāng)溫度超過70℃以后,硼雜質(zhì)去除率逐漸減小。同時也看到,溫度超過70℃以后,氫氟酸在溶液中的濃度不斷減小。因此,酸浸溫度選擇70℃。

      ?

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